朝鲜日报报道，三星电子成功开发出了混合存储芯片——“One DRAM”。三星电子总经理黄昌圭11日（当地时间）在美国旧金山开幕的全球性半导体学会——IEDM（国际电子组件会议）上公布，三星电子成功开发出将 DRAM和SRAM合为一体的512兆One DRAM。

　　三星电子介绍，One DRAM因为减少了芯片数量，所以能降低成本，并且可减少50%的电路板面积和30%的耗电量。也会加速便携式IT设备的小型化。

　　三星电子计划从明年第2季度开始正式投产，从第3季度开始正式投放市场。One DRAM的市场规模将从2008年的2亿美元开始，到2011年的5年时间里，将增长至25亿美元。

　　黄昌圭12日获得了“2006 IEEE安迪葛洛夫奖”，这是半导体领域中具有权威性的奖项。IEDM成员等3000余人出席了大会。黄昌圭以成功开发下一代存储芯片和7年连续证明储存器新增长论（储存芯片的集成度每年翻一番）等功劳得到认可。

　　安迪葛洛夫是英特尔的创立者，在历届安迪葛洛夫奖7名获奖者中，黄昌圭是首次获此奖项的东方企业人士。